AEC-Q100 Grado 1 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC-8, Serie SPI, 16 kB, 2K x 8 bits, 3.6V, 3 V
- Código RS:
- 273-7315
- Referência do fabricante:
- CY15B016Q-SXE
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7315
- Referência do fabricante:
- CY15B016Q-SXE
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 16kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 2K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 16MHZ | |
| Encapsulado | SOIC-8 | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Número de palabras | 2k | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 Grado 1 | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 16kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 2K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 16MHZ | ||
Encapsulado SOIC-8 | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Número de palabras 2k | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 Grado 1 | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 16 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 121 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.
Conformidad con RoHS
Funcionamiento de baja tensión
Bajo consumo de potencia
Conformidad con AEC Q100 grado 1
Esquema de protección de escritura sofisticado
Protección de software mediante instrucciones de desactivación de escritura
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