Memoria FRAM Cypress Semiconductor CY15B104QN-50SXI, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 4Mbit, 512K x 8 bits, 450 (Minimum)μs,

Baja potencia, 4 Mbits no volatilemoria empleando un Advanced proceso ferroeléctrico. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por la memoria flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de autobús puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Capaz de soportar 1015 ciclos de lectura/escritura, o 1.000 millones de ciclos morewrite veces más que EEPROM. Ideal para aplicaciones de memoria no volátil que requieren escrituras frecuentes o Rapid. Proporciona ventajas sustanciales a los usuarios de EEPROM serie o flash como sustitución directa de hardware. Utiliza el bus SPI de alta velocidad, que mejora la capacidad de escritura de alta velocidad de la tecnología F-RAM.