AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, I2C de 2 cables, 256 kB, 32K x 8 bits, 3000 ns, 5.5V, 2.7 V

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Código RS:
188-5407
Referência do fabricante:
FM24W256-G
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

256kB

Tipo de producto

FRAM

Organización

32K x 8 bits

Tipo de interfaz

I2C de 2 cables

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

3000ns

Tipo de montaje

Superficie

Frecuencia del reloj máxima

1MHZ

Encapsulado

SOIC

Número de pines

8

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.98mm

Longitud

4.97mm

Altura

1.38mm

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de palabras

32k

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de bits por palabra

8

COO (País de Origem):
US

FRAM, Cypress Semiconductor


La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil

Rápida velocidad de escritura

Alta resistencia

Bajo consumo

FRAM (RAM ferroeléctrica)


FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

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