AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, I2C de 2 cables, 256 kB, 32K x 8 bits, 3000 ns, 5.5V, 2.7 V
- Código RS:
- 188-5407
- Referência do fabricante:
- FM24W256-G
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 188-5407
- Referência do fabricante:
- FM24W256-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | I2C de 2 cables | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 3000ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Altura | 1.38mm | |
| Anchura | 3.98mm | |
| Longitud | 4.97mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de palabras | 32k | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz I2C de 2 cables | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 3000ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Altura 1.38mm | ||
Anchura 3.98mm | ||
Longitud 4.97mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de palabras 32k | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
- COO (País de Origem):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
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