AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, DFN, SPI, 2 MB, 256 KB x 8 bits, 11 ns, 3.6V, 2 V

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 tubo de 74 unidades)*

1 613,644 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 148 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
74 - 7421,806 €1 613,64 €
148 - 29621,37 €1 581,38 €
370 +20,934 €1 549,12 €

*preço indicativo

Código RS:
181-1554
Referência do fabricante:
FM25V20A-DGQ
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

2MB

Tipo de producto

FRAM

Organización

256 KB x 8 bits

Tipo de interfaz

SPI

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

11ns

Frecuencia del reloj máxima

40MHZ

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

DFN

Número de pines

8

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

0.7mm

Temperatura de funcionamiento máxima

105°C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Número de bits por palabra

8

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de palabras

256K

Tensión de alimentación mínima

2V

2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically

organized as 256 K x 8

High-endurance 10 trillion (1014) read/writes

121-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

Very fast serial peripheral interface (SPI)

Up to 33 MHz frequency

Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM

Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)

Sophisticated write protection scheme

Hardware protection using the Write Protect (WP) pin

Software protection using Write Disable instruction

Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array

Device ID

Manufacturer ID and Product ID

Low power consumption

3 mA active current at 33 MHz

400 A standby current

12 A sleep mode current

Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V

Extended temperature: –40 °C to +105 °C

8-pin thin dual flat no leads (DFN) package

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.