AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM28V020-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256kbit, 32K x 8 bits, 70ns, 2 V a 3,6 V

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 256 Kbit organizada lógicamente como 32K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
Funcionamiento del modo de página
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Compatible con SRAM
Pinout 32K x 8 SRAM estándar del sector
tiempo de acceso de 70 ns, tiempo de ciclo de 140 ns
Superior a los módulos SRAM respaldados por batería
No hay problemas con la batería
Fiabilidad monolítica
Solución de montaje en superficie real, sin pasos de rectificación
Superior para humedad, golpes y vibraciones
Resistente a subtensiones de tensión negativa
Bajo consumo
Corriente activa 5 mA (típ.)
Corriente en espera de 90 μA (típ.)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Encapsulados:
Encapsulado de circuito integrado (SOIC) de contorno pequeño de 28 pines
Paquete fino de 28 pines de contorno pequeño (TSOP) Tipo I
Paquete de contorno pequeño fino de 32 pines (TSOP) Tipo I

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.