LED de infrarrojo EPIGAP OSA Photonics de 1 LEDs OCI-440, 5V, λ 1140 nm, 13.5 mW/sr, 42.0 mW, encapsulado 1515 de 2
- Código RS:
- 173-6354
- Referência do fabricante:
- OCI-440-1140p-X-TU
- Fabricante:
- EPIGAP OSA Photonics
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- Código RS:
- 173-6354
- Referência do fabricante:
- OCI-440-1140p-X-TU
- Fabricante:
- EPIGAP OSA Photonics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | EPIGAP OSA Photonics | |
| Longitud de onda máxima | 1140nm | |
| Tipo de producto | LED de infrarrojo | |
| Encapsulado | 1515 | |
| Flujo radiante | 42.0mW | |
| Intensidad Resplandeciente | 13.5mW/sr | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de LEDs | 1 | |
| Número de pines | 2 | |
| Forma de la lente | Redondo | |
| Serie | OCI-440 | |
| Material del LED | AlInGaP, GaAlAs, InGaN, GaP | |
| Certificaciones y estándares | RoHs and Reach | |
| Tensión de alimentación máxima | 5V | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca EPIGAP OSA Photonics | ||
Longitud de onda máxima 1140nm | ||
Tipo de producto LED de infrarrojo | ||
Encapsulado 1515 | ||
Flujo radiante 42.0mW | ||
Intensidad Resplandeciente 13.5mW/sr | ||
Embalaje y empaquetado Cinta | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de LEDs 1 | ||
Número de pines 2 | ||
Forma de la lente Redondo | ||
Serie OCI-440 | ||
Material del LED AlInGaP, GaAlAs, InGaN, GaP | ||
Certificaciones y estándares RoHs and Reach | ||
Tensión de alimentación máxima 5V | ||
Estándar de automoción No | ||
La luz OSA Opto Light dispone de varios encapsulados SMD-LED basados en PCB para diversos tamaños, características radiantes y tipos de chip. Casi todos nuestros chips estándar se pueden montar en nuestros encapsulados SMD. Todos los dispositivos pueden caracterizarse a 20 mA, 2 mA (corriente baja) y conforme a condiciones específicas de personalización. La mayoría de ellos se pueden empaquetar con la cinta hacia arriba o hacia abajo. La resistencia térmica de los propios dispositivos es de aproximadamente 150 K/W (Kelvin/vatio), en función de la tecnología de chip se puede conseguir una disipación de potencia de hasta 10 mW.
encapsulado: 1515
tamaño: 3,8 mm x 3,8 mm x 0,9 mm
ángulo de visión: 120°
sustrato: cerámica AIN
para aplicaciones de alta potencia
tecnología: GaP, AlInGaP, GaAlAs e InGaN
almohadillas de soldadura: chapado en plata
adecuado para todos los métodos de montaje superficial
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