Toshiba AEC-Q100 Inversor CMOS 74VHC04FT Inversor TTL 6 canales TSSOP 14 pines 74VHC
- Código RS:
- 171-3586
- Referência do fabricante:
- 74VHC04FT
- Fabricante:
- Toshiba
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | Inversor CMOS | |
| Función lógica | Inversor | |
| Tipo de entrada | CMOS | |
| Tipo de salida | TTL | |
| Número de elementos por chip | 6 | |
| Entrada Schmitt Trigger | No | |
| Tiempo de retardo de propagación máximo CL | 13.5ns | |
| Corriente máxima de salida de nivel alto | -8mA | |
| Corriente máxima de salida de nivel bajo | 8mA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Encapsulado | TSSOP | |
| Número de pines | 14 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Familia lógica | 74VHC | |
| Anchura | 4.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1mm | |
| Serie | 74VHC04FT | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
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|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto Inversor CMOS | ||
Función lógica Inversor | ||
Tipo de entrada CMOS | ||
Tipo de salida TTL | ||
Número de elementos por chip 6 | ||
Entrada Schmitt Trigger No | ||
Tiempo de retardo de propagación máximo CL 13.5ns | ||
Corriente máxima de salida de nivel alto -8mA | ||
Corriente máxima de salida de nivel bajo 8mA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Encapsulado TSSOP | ||
Número de pines 14 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Familia lógica 74VHC | ||
Anchura 4.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1mm | ||
Serie 74VHC04FT | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
El 74VHC04FT es un INVERSOR CMOS de alta velocidad avanzado fabricado con tecnología C2MOS de puerta de silicio. Alcanza el funcionamiento de alta velocidad similar al TLL Schottky bipolar equivalente al tiempo que mantiene la disipación de potencia baja de CMOS. El circuito interno está compuesto de 3 etapas, incluida una salida de búfer, que proporcionan alta inmunidad al ruido y salida estable. Un circuito de protección de entrada garantiza que se puedan aplicar de 0 a 5,5 V a los contactos de entrada sin tener en cuenta la tensión de alimentación. Este dispositivo se puede utilizar para conectar sistemas de 5 V a 3 V y dos sistemas de alimentación como una batería de respaldo. Este circuito evita la destrucción del dispositivo debido a tensiones de entrada y alimentación desajustadas.
Amplia temperatura de funcionamiento: Topr = -40 a 125
Alta velocidad: tiempo de retardo de propagación = 3,8 ns (típ.) a VCC = 5,0 V
Baja disipación de potencia: ICC = 2,0 μA (máx) a Ta = 25
Alta inmunidad frente al ruido: VNIH = VNIL = 28 % VCC (mín)
Se proporciona protección de reducción de potencia en todas las entradas.
Retardos de propagación equilibrados: tPLH ≈ tPHL
Amplia gama de tensión de funcionamiento: VCC (opr) = 2,0 V a 5,5 V
Bajo nivel de ruido: V = 0,8 V (máx.)
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