Toshiba Inversor CMOS 74HC04D Inversor Búfer 6 canales SOIC 14 pines 74HC
- Código RS:
- 171-3461P
- Referência do fabricante:
- 74HC04D
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 171-3461P
- Referência do fabricante:
- 74HC04D
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | Inversor CMOS | |
| Función lógica | Inversor | |
| Tipo de entrada | CMOS | |
| Tipo de salida | Búfer | |
| Número de elementos por chip | 6 | |
| Entrada Schmitt Trigger | No | |
| Tiempo de retardo de propagación máximo CL | 75ns | |
| Corriente máxima de salida de nivel alto | -5.2mA | |
| Corriente máxima de salida de nivel bajo | 5.2mA | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión de alimentación máxima | 6V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 14 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Familia lógica | 74HC | |
| Altura | 1.38mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.95mm | |
| Serie | 74HC04D | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto Inversor CMOS | ||
Función lógica Inversor | ||
Tipo de entrada CMOS | ||
Tipo de salida Búfer | ||
Número de elementos por chip 6 | ||
Entrada Schmitt Trigger No | ||
Tiempo de retardo de propagación máximo CL 75ns | ||
Corriente máxima de salida de nivel alto -5.2mA | ||
Corriente máxima de salida de nivel bajo 5.2mA | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión de alimentación máxima 6V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 14 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Familia lógica 74HC | ||
Altura 1.38mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.95mm | ||
Serie 74HC04D | ||
Estándar de automoción No | ||
El 74HC04D es un INVERSOR CMOS de alta velocidad fabricado con tecnología C2MOS de puerta de silicio.
Alcanza el funcionamiento de alta velocidad similar al LSTTL equivalente al tiempo que mantiene baja la potencia CMOS de
disipación.
El circuito interno está compuesto de 3 etapas, incluida salida de búfer, que proporcionan alta inmunidad al ruido
de salida estable. Todas las entradas están equipadas con circuitos de protección contra descarga estática o tensión de exceso de transitorios.
Alta velocidad: tpd = 6 ns (típ.) a VCC = 5 V
Baja disipación de potencia: ICC = 1,0 μA (máx) a Ta = 25
Retardos de propagación equilibrados: tPLH ≈ tPHL
Amplia gama de tensión de funcionamiento: VCC (opr) = 2,0 V a 6,0 V
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