Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1 Puente trifásico, Tipo N-Canal, 75 A, 1200 V, ECONO2, 28 pines Montaje en PCB
- Código RS:
- 838-6860
- Referência do fabricante:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 838-6860
- Referência do fabricante:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Configuración | Puente trifásico | |
| Encapsulado | ECONO2 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 28 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 107.5mm | |
| Altura | 17mm | |
| Anchura | 45mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Configuración Puente trifásico | ||
Encapsulado ECONO2 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 28 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 107.5mm | ||
Altura 17mm | ||
Anchura 45mm | ||
Módulos IGBT, Infineon
Infineon
TM
TMTMTM
Módulos y discretos IGBT, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo de semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencillas de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y baja tensión de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislado para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un único dispositivo.
Links relacionados
- Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1 Puente trifásico, Tipo N-Canal, 75 A, 1200 V, ECONO2, 28 pines Montaje en PCB
- Infineon IGBT Puente trifásico, 150 A, 1200 V, Módulo Panel
- Infineon IGBT, FP150R12KT4BPSA1 Puente trifásico, 150 A, 1200 V, Módulo Panel
- Infineon IGBT Puente completo, 75 A, 1200 V, AG-EASY2B-711 Chasis
- Infineon IGBT, FS75R12W2T7B11BOMA1 Puente completo, 75 A, 1200 V, AG-EASY2B-711 Chasis
- Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 1200 V, ECONO2, 23 pines Abrazadera, 1 MHz
- Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 35 A, 1200 V, ECONO2, 23 pines Abrazadera, 1 MHz
- Infineon Módulo IGBT, FP35R12KT4B11BOSA1, Tipo N-Canal, 35 A, 1200 V, ECONO2, 23 pines Abrazadera, 1 MHz
