Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1 Puente trifásico, Tipo N-Canal, 75 A, 1200 V, ECONO2, 28 pines Montaje en PCB
- Código RS:
- 124-8785
- Referência do fabricante:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 124-8785
- Referência do fabricante:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Configuración | Puente trifásico | |
| Encapsulado | ECONO2 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 28 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 17mm | |
| Longitud | 107.5mm | |
| Anchura | 45mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Configuración Puente trifásico | ||
Encapsulado ECONO2 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 28 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 17mm | ||
Longitud 107.5mm | ||
Anchura 45mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Módulos IGBT, Infineon
Infineon
TM
TMTMTM
Módulos y discretos IGBT, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo de semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencillas de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y baja tensión de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislado para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un único dispositivo.
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