STMicroelectronics IGBT, STGF15H60DF, Tipo N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 829-7120
- Referência do fabricante:
- STGF15H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
9,72 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 09 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,944 € | 9,72 € |
| 25 - 45 | 1,85 € | 9,25 € |
| 50 - 120 | 1,66 € | 8,30 € |
| 125 - 245 | 1,498 € | 7,49 € |
| 250 + | 1,42 € | 7,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 829-7120
- Referência do fabricante:
- STGF15H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | Trench Gate Field Stop | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie Trench Gate Field Stop | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 40 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 11 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, STGF14NC60KD, Tipo N-Canal, 11 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, STGF20H60DF, Tipo N-Canal, 40 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 6 A, 1200 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT, STGF3NC120HD, Tipo N-Canal, 6 A, 1200 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz