IGBT, FGD3040G2-F085, N-Canal, 41 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 807-0767
- Referência do fabricante:
- FGD3040G2-F085
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 807-0767
- Referência do fabricante:
- FGD3040G2-F085
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 41 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 300 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±10V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 41 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 300 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±10V | ||
Disipación de Potencia Máxima 150 W | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor
Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.
Características
• Controlador de puerta nivel lógico
• Protección contra ESD
• Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
• Protección contra ESD
• Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
Códigos de producto RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Nota
Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C.
Estándares
AEC-Q101
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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