Littelfuse IGBT, NGB8207ABNT4G, Tipo N-Canal, 20 A, 365 V, TO-263, 3 pines Superficie, 6 μs

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Código RS:
805-1753
Referência do fabricante:
NGB8207ABNT4G
Fabricante:
Littelfuse
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Marca

Littelfuse

Corriente continua máxima de colector Ic

20A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

365V

Disipación de potencia máxima Pd

165W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

6μs

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

15 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.29mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

Ignition IGBT

Altura

4.83mm

Anchura

15.88 mm

Energía nominal

500mJ

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, ON Semiconductor


Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.

Discretos IGBT, ON Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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