IGBT, NGB8207ABNT4G, N-Canal, 50 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 805-1753
- Referência do fabricante:
- NGB8207ABNT4G
- Fabricante:
- Littelfuse
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
10,10 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 225 unidade(s) a partir do dia 05 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 + | 2,02 € | 10,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 805-1753
- Referência do fabricante:
- NGB8207ABNT4G
- Fabricante:
- Littelfuse
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Littelfuse | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 365 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±15V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 165 W | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Littelfuse | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 365 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±15V | ||
Disipación de Potencia Máxima 165 W | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- IGBT, NGB8207ABNT4G, N-Canal, 50 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, ISL9V3040S3ST, N-Canal, 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, STGB10NB37LZT4, N-Canal, 20 A, 375 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, ISL9V5036S3ST, N-Canal, 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, ISL9V5045S3ST_F085, N-Canal, 51 A, 505 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, FGB3040CS, N-Canal, 21 A, 430 V, D2PAK (TO-263), 6-Pines Simple
- IGBT, STGB10NC60HDT4, N-Canal, 10 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple