STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 390 V, TO-252, 3 pines Superficie, 1 MHZ
- Código RS:
- 795-9019P
- Referência do fabricante:
- STGD18N40LZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal 50 unidades (fornecido em tira contínua)*
80,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2460 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 50 - 245 | 1,616 € |
| 250 - 495 | 1,444 € |
| 500 + | 1,24 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 795-9019P
- Referência do fabricante:
- STGD18N40LZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 390V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 16 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101 | |
| Serie | STGD18N40LZ | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Energía nominal | 180mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 390V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 16 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101 | ||
Serie STGD18N40LZ | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Energía nominal 180mJ | ||
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.