Infineon Módulo IGBT, FP15R12W1T4B11BOMA1, 28 A, 1.2 kV, Módulo Panel
- Código RS:
- 273-7398
- Referência do fabricante:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7398
- Referência do fabricante:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 28A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 16.4mm | |
| Longitud | 61.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 28A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 16.4mm | ||
Longitud 61.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor de colector de 1200 V y una corriente de colector dc continua de 15 A. Se trata de una solución superior para accionamientos de inversor controlados por frecuencia. Este módulo IGBT está disponible con bloqueo rápido de trinchera TRENCHSTOP IGBT4, 4 diodos controlados por emisor, tecnología de contacto NTC y Press FIT.
Resistencia térmica
Alta densidad de potencia
Concepto de módulo compacto
Diseño de módulo de baja inductancia de desviación
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