STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGSB200M65DF2AG Simple, NPN-Canal, 216 A, 650 V, ECOPACK, 9 pines 2 Superficie
- Código RS:
- 273-5094P
- Referência do fabricante:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Código RS:
- 273-5094P
- Referência do fabricante:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 216A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 714W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | ECOPACK | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | NPN | |
| Número de pines | 9 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.05V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | UL1557 | |
| Altura | 5.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 216A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 714W | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado ECOPACK | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal NPN | ||
Número de pines 9 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 4mm | ||
Certificaciones y estándares UL1557 | ||
Altura 5.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La serie M IGBT de baja pérdida de parada de campo de puerta de trinchera de grado de automoción de STMicroelectronics en un encapsulado ACEPACK SMIT. Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera propietaria avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Distribución de parámetros estrecha
Baja resistencia térmica
Dados en sustrato de cobre de unión directa (DBC)