Módulo transistor IGBT, IGP50N60TXKSA1, 90 A, 600 V, PG-TO220-3 3

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Código RS:
259-1524
Referência do fabricante:
IGP50N60TXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

90 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

333 W

Número de transistores

3

Tipo de Encapsulado

PG-TO220-3

El IGBT de baja pérdida de Infineon tiene una capacidad de conmutación paralela sencilla gracias al coeficiente de temperatura positivo en Vcesat. Tiene un comportamiento de alta resistencia y estabilidad de temperatura. Se trata de un diodo controlado por emisor antiparalelo muy suave y de recuperación rápida.

Temperatura de unión máxima de 175 °C
Tiempo de resistencia a cortocircuitos de 5 microsegundos
EMI baja
Carga de puerta baja
Distribución de parámetros muy estrecha

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