Infineon Módulo IGBT, IKW50N65SS5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines, 20 ns
- Código RS:
- 249-6944
- Referência do fabricante:
- IKW50N65SS5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 249-6944
- Referência do fabricante:
- IKW50N65SS5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 274W | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 20ns | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.35V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 16.3 mm | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 274W | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 20ns | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.35V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 16.3 mm | ||
Longitud 41.9mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT TRENCHSTOP 5S5 de Infineon se suministra con diodo de barrera Schottky Cool SiCTMS de 6.ª generación con valor nominal completo. Pérdidas de conmutación muy bajas gracias a la combinación de tecnología TRENCHSTOPTM5 y CoolSiCTM. Eficiencia de referencia en topologías de conmutación dura. Sustitución de enchufar y usar de dispositivos de silicio puro. La temperatura máxima de unión es de 175 °C
Fuentes de alimentación industriales - SMPS industriales
Generación de energía
Inversor de cadena solar
Distribución de energía - Almacenamiento de energía
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