Infineon AEC-Q101 IGBT, AIKQ200N75CP2XKSA1, 200 A, 750 V, TO-247
- Código RS:
- 248-6657
- Referência do fabricante:
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
12,65 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 12,65 € |
| 5 - 9 | 12,01 € |
| 10 - 24 | 11,51 € |
| 25 - 49 | 11,00 € |
| 50 + | 10,25 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 248-6657
- Referência do fabricante:
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 200A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 750V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.3V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 15.9 mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 41.2mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 200A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 750V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.3V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 15.9 mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 41.2mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El IGBT de automoción discreto de Infineon es un IGBT EDT2 con un diodo encapsulado en el encapsulado TO247PLUS. La tecnología EDT2 tiene una distribución de parámetros extremadamente estrecha y un coeficiente térmico positivo, lo que permite un funcionamiento en paralelo sencillo, lo que proporciona flexibilidad del sistema y escalabilidad de potencia. La tecnología EDT de 750 V mejora significativamente la eficiencia energética y los esfuerzos de refrigeración para aplicaciones de automoción de alta tensión al permitir tensiones de batería de hasta 470 V y conmutación rápida segura gracias al aumento de los márgenes de sobretensión, lo que permite sistemas de inversor de alto rendimiento.
Corriente de limitación automática en condiciones de cortocircuito
Coeficiente térmico positivo y distribución de parámetros muy estrecha para facilitar el paralelismo
Excelente distribución de corriente en funcionamiento en paralelo
Características de conmutación suave, firma EMI baja
Carga de puerta baja
Diseño de accionamiento de puerta sencillo
Alta fiabilidad
Links relacionados
- Infineon AEC-Q101 IGBT, 200 A, 750 V, TO-247
- Infineon AEC-Q101 IGBT, 120 A, 750 V, TO-247, 3 pines
- Infineon AEC-Q101 IGBT, AIKQ120N75CP2XKSA1, 120 A, 750 V, TO-247, 3 pines
- Infineon IGBT, IKQB160N75CP2AKSA1, Tipo N-Canal, 200 A, 750 V, PG-TO-247-3-PLUS-N, 3 pines Orificio pasante
- Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon AEC-Q101 IGBT, AIKW40N65DF5XKSA1, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante