Infineon Módulo IGBT, FP50R06W2E3BOMA1, 600 V 7
- Código RS:
- 244-5401
- Referência do fabricante:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 2 para poupar 1,82 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
45,65 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 13 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 45,65 € | - |
| 2 - 4 | 44,74 € | 1,82 € |
| 5 + | 40,26 € | 26,95 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-5401
- Referência do fabricante:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Número de transistores | 7 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 175W | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 12mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | FP50R06W2E3B | |
| Anchura | 42.5mm | |
| Longitud | 51mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Número de transistores 7 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 175W | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 12mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie FP50R06W2E3B | ||
Anchura 42.5mm | ||
Longitud 51mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo IGBT serie FP50R06W2E3B de Infineon, disipación de potencia máxima de 175 W, tensión de emisor-colector máxima de 600 V - FP50R06W2E3BOMA1
Este módulo IGBT es un conjunto de semiconductores de potencia compacto diseñado para conmutar y controlar cargas dc de alta tensión en sistemas de alimentación industriales. Proporciona una capacidad de conmutación robusta para convertidores, inversores y accionamientos de motor al tiempo que funciona en un amplio rango térmico en entornos exigentes. El dispositivo cumple la directiva RoHS y está diseñado para aplicaciones que requieren varias salidas de transistor en un único encapsulado.
Características y ventajas:
• La potencia nominal del colector-emisor de 600 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La disipación de potencia máxima de 175 W admite una manipulación de carga continua sustancial
• La VCE(sat) máxima de 1,9 V reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento en estado activo
• La tolerancia del emisor de puerta de 20 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• Siete transistores en un encapsulado permiten disposiciones de conmutación multicanal
• La disipación de potencia máxima de 175 W admite una manipulación de carga continua sustancial
• La VCE(sat) máxima de 1,9 V reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento en estado activo
• La tolerancia del emisor de puerta de 20 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• Siete transistores en un encapsulado permiten disposiciones de conmutación multicanal
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de motor trifásico que requieren varios interruptores
• Ideal para convertidores industriales dc-dc con entradas de alta tensión
• Se utiliza con rectificadores de potencia en sistemas de tracción de potencia media
• Se puede utilizar para inversores de energía renovable que manejan cargas variables
• Adecuado para laboratorios o plataformas de prueba que necesitan salidas de transistor agrupadas
• Ideal para convertidores industriales dc-dc con entradas de alta tensión
• Se utiliza con rectificadores de potencia en sistemas de tracción de potencia media
• Se puede utilizar para inversores de energía renovable que manejan cargas variables
• Adecuado para laboratorios o plataformas de prueba que necesitan salidas de transistor agrupadas
¿Qué temperaturas ambiente puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de hasta −40 °C y hasta 150 °C.
¿Cuál es el tamaño del encapsulado para la integración en los conjuntos?
La unidad mide 42,5 x 51 x 12 mm para un montaje compacto y una planificación de huella.
¿Cómo afecta la disposición de siete transistores al diseño del circuito?
Los transistores múltiples en una carcasa reducen la longitud de interconexión y simplifican el enrutamiento de puertas para topologías de varias patas.
¿Hay restricciones para el uso en automoción?
El dispositivo no cumple los estándares de automoción y no debe confiar en él para diseños cualificados para automoción.
Links relacionados
- Infineon Módulo IGBT, FP50R06W2E3BOMA1, 600 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP30R06W1E3BOMA1, 600 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP10R06W1E3BOMA1, 16 A, 600 V, Módulo Panel
- Infineon Módulo IGBT, FS30R06W1E3BOMA1, 45 A, 600 V, Módulo Panel
- Infineon Módulo IGBT, FP15R06W1E3BOMA1, 22 A, 600 V, Módulo Panel
- Infineon Módulo IGBT, FP20R06W1E3BOMA1, 27 A, 600 V, Módulo Panel
- Infineon Módulo IGBT, FP100R06KE3BOSA1, 100 A, 600 V, Módulo Panel
- Infineon Módulo IGBT, FS200R06KE3BOSA1, 200 A, 600 V, EconoPACK 6