Infineon IGBT, IGP20N65H5XKSA1, 20 A, 650 V, TO-220
- Código RS:
- 242-0978
- Referência do fabricante:
- IGP20N65H5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
2,21 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 264 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,105 € | 2,21 € |
| 10 - 98 | 1,045 € | 2,09 € |
| 100 - 248 | 0,995 € | 1,99 € |
| 250 - 498 | 0,95 € | 1,90 € |
| 500 + | 0,905 € | 1,81 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 242-0978
- Referência do fabricante:
- IGP20N65H5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 20A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.57mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Anchura | 10.36 mm | |
| Longitud | 29.95mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 20A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.57mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Anchura 10.36 mm | ||
Longitud 29.95mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor IGBT de Infineon tiene una tensión de ruptura de 650 V. La temperatura de unión máxima del transistor es de 175 °C.
La mejor eficiencia de su clase en topologías de conmutación dura y resonancia
Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior
Aplicable en convertidores solares, fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidores de soldadura
Convertidores de frecuencia de conmutación de gama media a alta
Links relacionados
- Infineon IGBT, 20 A, 650 V, TO-220
- Infineon Módulo IGBT, 30 A, 650 V, TO-220
- Infineon Módulo IGBT, IKP15N65H5XKSA1, 30 A, 650 V, TO-220
- Infineon IGBT, 40 A, 650 V, TO-220 Orificio pasante
- Infineon IGBT, IGP40N65F5XKSA1, 40 A, 650 V, TO-220 Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT, 28 A, 650 V, TO-220
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKP28N65ES5XKSA1, 28 A, 650 V, TO-220
- Infineon IGBT, 30 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante