IGBT, IKW25N120CS7XKSA1, N-Canal, 25 A, 1.200 V, TO-247-3, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 232-6728
- Referência do fabricante:
- IKW25N120CS7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 232-6728
- Referência do fabricante:
- IKW25N120CS7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 25 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 250 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-3 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 25 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 250 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247-3 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El discreto TRENCHSTOP IGBT7 S7 de 25 A de Infineon se suministra en encapsulado TO-247 con diodo EC7 en el interior. Ofrece VCEsat bajo para lograr pérdidas de conducción muy bajas en aplicaciones de destino y el diodo controlado por emisor muy suave y rápido empaquetado ayuda a minimizar las pérdidas de conmutación, lo que contribuye a pérdidas totales bajas. Las aplicaciones potenciales incluyen accionamientos industriales, fuentes de alimentación industriales e inversores solares.
Buen control
Diodo de libre circulación con valor nominal completo con mayor suavidad
Mayor densidad de potencia sin rediseñar el disipador térmico
Fácil de diseñar para cumplir los requisitos EMI
Diodo de libre circulación con valor nominal completo con mayor suavidad
Mayor densidad de potencia sin rediseñar el disipador térmico
Fácil de diseñar para cumplir los requisitos EMI
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