Infineon IGBT, IKW40N65F5FKSA1, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 226-6115
- Referência do fabricante:
- IKW40N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6115
- Referência do fabricante:
- IKW40N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 74A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Longitud | 42mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.21mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 74A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Longitud 42mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.21mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IKW40N65F5 es un IGBT de conmutación dura de alta velocidad de 650 V que se utiliza junto con tecnología de diodo Schottky Rapid. Tiene un diseño de densidad de potencia superior y COES/EOSS bajo.
Factor 2,5: QG inferior
Reducción del factor 2 en pérdidas de conmutación
Reducción de 200mV en VCEsat
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