IGBT, IKFW90N60EH3XKSA1, N-Canal, 77 A, 600 V, PG-TO247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 226-6103
- Referência do fabricante:
- IKFW90N60EH3XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 226-6103
- Referência do fabricante:
- IKFW90N60EH3XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 77 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 30V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 178 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 77 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 30V | ||
Disipación de Potencia Máxima 178 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El Infineon IKFW90N60EH3 es un diodo antiparalelo de recuperación rápida y muy suave que utiliza una superficie de montaje aislada del 100 % y también tiene conmutación de alta velocidad. Dispone de conexión en paralelo sencilla y no es necesario utilizar material de aislamiento ni grasa térmica.
Bajo VCE (sat)
Cortocircuito con standtime5μ sat 175 °C.
Coeficiente de temperatura positivo en VCE(sat)
EMI bajo
Cortocircuito con standtime5μ sat 175 °C.
Coeficiente de temperatura positivo en VCE(sat)
EMI bajo
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