STMicroelectronics IGBT, STGIPQ4C60T-HZ, 6 A, 600 V, 26 pines Orificio pasante

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Código RS:
218-4825
Referência do fabricante:
STGIPQ4C60T-HZ
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

6A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

26

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

600 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

SLLIMM 2nd

Longitud

32.5mm

Altura

4.2mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

SLLIMM nano serie 2nd IPM, inversor trifásico, 6 A, 600 V, IGBT resistente de cortocircuito


Esta segunda serie de SLLIMM (pequeño módulo moldeado inteligente de baja pérdida) nano proporciona un accionamiento de motor ac compacto y de alto rendimiento en un diseño sencillo y resistente. Se compone de seis IGBT de puerta de trinchera resistentes de cortocircuito mejorados con diodos de rueda libre y tres HVIC de medio puente para accionamiento de puerta, que proporcionan características de baja interferencia electromagnética (EMI) con velocidad de conmutación optimizada. El encapsulado está diseñado para permitir un disipador térmico mejor y más fácil de atornillar, y está optimizado para rendimiento térmico y compacto en aplicaciones de motor integrado u otras aplicaciones de baja potencia donde el espacio de montaje es limitado. Este IPM incluye un amplificador operativo completamente sin compromiso y un comparador que se puede utilizar para diseñar un circuito de protección rápido y eficiente.

  • IPM 6 A, 600 V, puente de inversor IGBT trifásico que incluye 3 CI de control para accionamiento de puerta y diodos de rueda libre

  • Comparadores de entrada TTL/CMOS de 3,3 V, 5 V, 15 V con histéresis y resistencias de bajada/subida

  • Diodo de arranque interno

  • Optimizado para interferencias electromagnéticas bajas

  • Bloqueo de subtensión

  • IGBT TFS resistente de cortocircuito

  • Función de desconexión

  • Función de bloqueo

  • Amplificador operativo para detección de corriente avanzada

  • Comparador para protección contra fallos contra sobrecorriente

  • Valores nominales de aislamiento de 1.500 Vrms/min.

  • NTC (UL 1434 CA 2 y 4)

  • Hasta ±2 kV de protección ESD (HBM C = 100 pF, R = 1,5 kΩ)

  • Reconocimiento UL: UL 1557, archivo E81734

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