IGBT, IHW30N160R5XKSA1, N-Canal, 30 A, 1600 V, TO-247, 3-Pines 1

Este IGBT es un robusto dispositivo semiconductor diseñado para aplicaciones de alta tensión, con una corriente de colector máxima de 30 A y que funciona en un rango de temperaturas de -40 °C a +175 °C. El encapsulado TO-247 garantiza una instalación cómoda, mientras que sus dimensiones de 16,3 x 21,5 x 5,3 mm proporcionan una solución compacta para diversas necesidades electrónicas.

• Capacidad de conducción inversa para mejorar el rendimiento
• El diodo de cuerpo monolítico reduce la pérdida de tensión directa
• La estrecha distribución de los parámetros aumenta la fiabilidad
• Su gran robustez mejora la durabilidad en condiciones exigentes
• Las bajas emisiones EMI garantizan interferencias mínimas en los circuitos

• Para cocinas de inducción
• Apto para circuitos de hornos microondas
• Ideal para diversas conmutaciones de alta tensión
• Compatible con módulos de alimentación semiconductores especializados

La resistencia térmica de la unión al ambiente es de 40 K/W, y la resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,57 K/W, lo que garantiza una gestión eficaz del calor en condiciones de carga.

Presume de una tensión nominal de colector-emisor de hasta 1600 V, lo que lo hace adecuado para entornos de alta tensión, al tiempo que mantiene un funcionamiento seguro por encima de los límites especificados.

Con una disipación de potencia máxima de 263 W, permite una gestión eficiente de la energía, garantizando que el dispositivo pueda funcionar eficazmente sin sobrecarga térmica en aplicaciones típicas.