Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 1600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante 1

Código RS:: 218-4398
Referência do fabricante:: IHW30N160R5XKSA1
Fabricante:: Infineon

Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 1600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante 1

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Código RS:: 218-4398
Referência do fabricante:: IHW30N160R5XKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Corriente continua máxima de colector Ic	30A
	Tipo de producto	IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	1600V
	Número de transistores	1
	Disipación de potencia máxima Pd	263W
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	3
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.85V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±20 ±25 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	JEDEC47/20/22
	Serie	IHW30N160R5
	Longitud	21.5mm
	Altura	5.3mm
	Anchura	16.3 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Corriente continua máxima de colector Ic 30A
	Tipo de producto IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1600V
	Número de transistores 1
	Disipación de potencia máxima Pd 263W
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 3
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.85V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±25 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22
	Serie IHW30N160R5
	Longitud 21.5mm
	Altura 5.3mm
	Anchura 16.3 mm
	Estándar de automoción No

IHW30N160R5XKSA1 Datasheet

IGBT Infineon, corriente de colector continua máxima de 30 A, tensión de emisor de colector máxima de 1600 V - IHW30N160R5XKSA1

Este IGBT es un robusto dispositivo semiconductor diseñado para aplicaciones de alta tensión, con una corriente de colector máxima de 30 A y que funciona en un rango de temperaturas de -40 °C a +175 °C. El encapsulado TO-247 garantiza una instalación cómoda, mientras que sus dimensiones de 16,3 x 21,5 x 5,3 mm proporcionan una solución compacta para diversas necesidades electrónicas.

Características y ventajas

• Capacidad de conducción inversa para mejorar el rendimiento

• El diodo de cuerpo monolítico reduce la pérdida de tensión directa

• La estrecha distribución de los parámetros aumenta la fiabilidad

• Su gran robustez mejora la durabilidad en condiciones exigentes

• Las bajas emisiones EMI garantizan interferencias mínimas en los circuitos

Aplicaciones

• Para cocinas de inducción

• Apto para circuitos de hornos microondas

• Ideal para diversas conmutaciones de alta tensión

• Compatible con módulos de alimentación semiconductores especializados

¿Cuáles son las principales características térmicas de este dispositivo?

La resistencia térmica de la unión al ambiente es de 40 K/W, y la resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,57 K/W, lo que garantiza una gestión eficaz del calor en condiciones de carga.

¿Cómo gestiona este módulo IGBT las aplicaciones de alta tensión?

Presume de una tensión nominal de colector-emisor de hasta 1600 V, lo que lo hace adecuado para entornos de alta tensión, al tiempo que mantiene un funcionamiento seguro por encima de los límites especificados.

¿Qué implicaciones tiene la disipación máxima de potencia para el diseño?

Con una disipación de potencia máxima de 263 W, permite una gestión eficiente de la energía, garantizando que el dispositivo pueda funcionar eficazmente sin sobrecarga térmica en aplicaciones típicas.