Infineon Inversor, FF1200R12IE5PBPSA1, Tipo N-Canal, 1200 A, 1200 V, PRIME2, 10 pines Superficie 2
- Código RS:
- 218-4321
- Referência do fabricante:
- FF1200R12IE5PBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-4321
- Referência do fabricante:
- FF1200R12IE5PBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 1200A | |
| Tipo de producto | Inversor | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | PRIME2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 10 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | FF1200R12IE5P | |
| Anchura | 89 mm | |
| Altura | 22mm | |
| Longitud | 172mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 1200A | ||
Tipo de producto Inversor | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado PRIME2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 10 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie FF1200R12IE5P | ||
Anchura 89 mm | ||
Altura 22mm | ||
Longitud 172mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT doble Infineon PrimePack con tecnología de interconexión TRENCHSTOP IGBT5 y .XT. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V. Los módulos IGBT de parada de campo y TRENCHSTOP de canal N son adecuados para aplicaciones de conmutación dura y conmutación suave como convertidores de alta potencia, sistemas SAI, controladores de motor y aplicaciones solares.
Se adhiere de cobre para ofrecer capacidades de transporte de alta corriente
Sinterización de chips para obtener las mayores capacidades de ciclo de alimentación
Pérdidas totales reducidas en hasta un 20%
Menos esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
Permite condiciones de sobrecarga del sistema más altas
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