Infineon IGBT, IKW30N65H5XKSA1, Tipo N-Canal, 55 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6673
- Número do artigo Distrelec:
- 304-31-965
- Referência do fabricante:
- IKW30N65H5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6673
- Número do artigo Distrelec:
- 304-31-965
- Referência do fabricante:
- IKW30N65H5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 55A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 42mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 55A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 42mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon 650v duopack de puerta aislada es un diodo de la serie de conmutación de alta velocidad de quinta generación.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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