Infineon IGBT en tecnología TRENCHSTOP TM 5, IKP40N65H5XKSA1, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio
- Código RS:
- 215-6663
- Referência do fabricante:
- IKP40N65H5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6663
- Referência do fabricante:
- IKP40N65H5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT en tecnología TRENCHSTOP TM 5 | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 74A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT en tecnología TRENCHSTOP TM 5 | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 74A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-free lead plating, RoHS | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon 650v de quinta generación duopack con puerta aislada y diodo de la serie de conmutación de alta velocidad con tecnología de tope de zanja.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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