IGBT, STGF20H65DFB2, 40 A, 650 V, TO-220FP, 3-Pines 1

STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 20 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja