STMicroelectronics IGBT, STGB50H65FB2, 86 A, 650 V, TO-263, 3 pines 1
- Código RS:
- 204-9869
- Referência do fabricante:
- STGB50H65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 204-9869
- Referência do fabricante:
- STGB50H65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 86A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 86A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 1 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La serie IGBT 650 V HB2 de STMicroelectronics representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Temperatura de unión máxima: TJ = 175 °C
VCE(sat) bajo = 1,55 V(típ.) a IC = 50 A
Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Resistencia térmica baja