Infineon IGBT, IKP20N60TXKSA1, Tipo N-Canal, 41 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 170-2258
- Referência do fabricante:
- IKP20N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 170-2258
- Referência do fabricante:
- IKP20N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 41A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.05V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free, JEDEC, RoHS | |
| Serie | TrenchStop | |
| Energía nominal | 0.77mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 41A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free, JEDEC, RoHS | ||
Serie TrenchStop | ||
Energía nominal 0.77mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología de IGBT TRENCHSTOP™ de Infineon genera mejoras significativas de estática y de rendimiento dinámico del dispositivo gracias a la combinación del concepto de trench Field Stop y de celda superior. La combinación de IGBT con diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de conexión. La máxima eficiencia se alcanza gracias a la mejor relación entre las pérdidas de conducción y conmutación
Caída V ce(sat) más baja para menos pérdidas de conducción
Pérdidas de conmutación bajas
Capacidad de conmutación en paralelo sencilla gracias al coeficiente de temperatura positivo en V ce(sat)
Diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida muy suave
Alta resistencia, comportamiento estable a temperatura
Emisiones EMI bajas
Carga de puerta baja
Distribución de parámetros muy ajustada
Ventajas:
Mayor eficiencia: baja conducción y pérdidas de conmutación
Oferta completa en 600 V y 1.200 V para mayor flexibilidad de diseño
Alta fiabilidad de dispositivo
Aplicaciones de destino:
SAI
Inversores solares
Electrodomésticos principales
Soldadura
Aire acondicionado
Accionadores industriales
Otras aplicaciones de conmutación difícil
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