- Código RS:
- 168-8792
- Referência do fabricante:
- STGWT30H60DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
150 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Em Tubo de 30)
2,038 €
Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
30 + | 2,038 € | 61,14 € |
*preço indicativo |
- Código RS:
- 168-8792
- Referência do fabricante:
- STGWT30H60DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- KR
Detalhes do produto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 260 W |
Tipo de Encapsulado | TO-3P |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.8 x 5 x 14.1mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |