STMicroelectronics IGBT, STGWT30H60DFB, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 860-7325
- Referência do fabricante:
- STGWT30H60DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 860-7325
- Referência do fabricante:
- STGWT30H60DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 60A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 260W | |
| Encapsulado | TO-3P | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | HB | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 60A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 260W | ||
Encapsulado TO-3P | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie HB | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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