IGBT, ISL9V3040S3ST, N-Canal, 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 166-2084
- Referência do fabricante:
- ISL9V3040S3ST
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
1 190,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,488 € | 1 190,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 166-2084
- Referência do fabricante:
- ISL9V3040S3ST
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Fairchild Semiconductor | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 21 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 450 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±14V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Fairchild Semiconductor | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 21 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 450 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±14V | ||
Disipación de Potencia Máxima 150 W | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- IGBT, ISL9V3040S3ST, N-Canal, 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, FGB3040CS, N-Canal, 21 A, 430 V, D2PAK (TO-263), 6-Pines Simple
- AEC-Q100 IGBT, FGB3245G2_F085, N-Canal, 23 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple
- IGBT, STGB10NB37LZT4, N-Canal, 20 A, 375 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, NGB8207ABNT4G, N-Canal, 50 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, ISL9V5036S3ST, N-Canal, 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- IGBT, ISL9V5045S3ST_F085, N-Canal, 51 A, 505 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
