Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 21 A, 430 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 166-2084
- Referência do fabricante:
- ISL9V3040S3ST
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
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- Código RS:
- 166-2084
- Referência do fabricante:
- ISL9V3040S3ST
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Fairchild Semiconductor | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 21A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 430V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Energía nominal | 300mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Fairchild Semiconductor | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 21A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 430V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie EcoSPARK | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Energía nominal 300mJ | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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