Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 580 A, 1200 V, AG-62MM-1 Abrazadera, 0.04 μs
- Código RS:
- 166-0902
- Referência do fabricante:
- FF400R12KE3HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 580A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2000W | |
| Encapsulado | AG-62MM-1 | |
| Tipo de montaje | Abrazadera | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Velocidad de conmutación | 0.04μs | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Serie | 62_MMC | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 30.9mm | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Anchura | 61.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 580A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2000W | ||
Encapsulado AG-62MM-1 | ||
Tipo de montaje Abrazadera | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Velocidad de conmutación 0.04μs | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Serie 62_MMC | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 30.9mm | ||
Longitud 106.4mm | ||
Anchura 61.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- HU
Módulo IGBT de Infineon, corriente de colector continua máxima de 580 A, tensión de emisor de colector máxima de 1200 V - FF400R12KE3HOSA1
Este módulo IGBT está diseñado para mejorar el rendimiento en diversas aplicaciones industriales. Con unas dimensiones de 106,4 x 61,4 x 30,9 mm, combina una alta eficiencia con unas especificaciones robustas, ofreciendo una corriente de colector continua máxima de 580 A y una tensión nominal de colector-emisor de 1200 V. Su diseño permite una integración eficaz en circuitos electrónicos de potencia, lo que lo convierte en la opción ideal para quienes necesitan soluciones IGBT modulares fiables.
Características y ventajas
• La tensión máxima del emisor de puerta de ±20 V proporciona flexibilidad operativa
• La alta capacidad de disipación de potencia de 2 kW satisface los requisitos más exigentes
• Diseñado para montaje en panel, lo que garantiza una instalación sencilla en diversos entornos
• La configuración en serie optimiza el espacio y la eficacia operativa
Aplicaciones
• Utilizado en circuitos inversores para maquinaria industrial
• Optimizado para sistemas de energía renovable, como inversores solares
• Eficaz en vehículos eléctricos y sistemas de propulsión
• Se utiliza en equipos de automatización de gran potencia en los que es vital una corriente elevada
¿Cuáles son las especificaciones de resistencia térmica de este módulo?
La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,062 K/W, y de la carcasa al disipador, de 0,031 K/W, lo que garantiza una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento.
¿Cómo se comporta este módulo IGBT a distintas temperaturas?
Con una temperatura máxima de funcionamiento de +125 °C y una mínima de -40 °C, es adecuada para diversas condiciones ambientales y aplicaciones exigentes.
¿Qué implicaciones tiene la elevada corriente nominal del colector?
Un valor nominal de corriente de colector continua máxima de 580 A significa que este módulo IGBT puede manejar cargas de potencia significativas, por lo que es ideal para aplicaciones IGBT de alta corriente en entornos industriales.
¿Puede este módulo gestionar eficazmente las operaciones de conmutación rápida?
Sí, la baja capacitancia de puerta de 28nF y las capacidades de accionamiento de puerta especificadas permiten una conmutación rápida eficiente, aumentando el rendimiento de los componentes electrónicos de potencia en los circuitos.
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