STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGD20N45LZAG, Tipo N-Canal, 25 A, 450 V, TO-252, 3 pines Superficie, 8.4 μs
- Código RS:
- 164-7025
- Referência do fabricante:
- STGD20N45LZAG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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| 250 - 495 | 1,48 € | 7,40 € |
| 500 + | 1,272 € | 6,36 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 164-7025
- Referência do fabricante:
- STGD20N45LZAG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 25A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 450V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 8.4μs | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.55V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Energía nominal | 300mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 25A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 450V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 8.4μs | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.55V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.6mm | ||
Serie Automotive Grade | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Energía nominal 300mJ | ||
Este IGBT específico de la aplicación utiliza la tecnología PowerMESH™ más avanzada optimizada para accionamiento de bobina en el entorno hostil de sistemas de encendido de automoción. Estos dispositivos muestran una tensión de estado de conexión muy baja y muy alta capacidad de energía SCIS en un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. Además, la entrada de puerta de nivel lógico con protección ESD y una resistencia de puerta integrada permite que no se requieran circuitos de protección externos.
Energía SCIS de 300 mJ a TJ = 25 °C
Los componentes se han probado 100 % en SCIS
Protección ESD de emisor de puerta
Fijación de alta tensión de colector de puerta
Controlador de puerta de nivel lógico
Tensión de saturación muy baja
Alta capacidad de corriente de impulsos
Resistencia de emisor de puerta y puerta