Módulo IGBT, IXGN320N60A3, N-Canal, 320 A, 600 V, SOT-227B, 4-Pines, 5kHz Emisor común

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Código RS:
125-8046
Referência do fabricante:
IXGN320N60A3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

320 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

735 W

Configuración

Único

Tipo de Encapsulado

SOT-227B

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

5kHz

Configuración de transistor

Emisor común

Dimensiones

38.23 x 25.07 x 9.6mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Discretos IGBT, IXYS



IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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