Infineon Módulo IGBT, FF150R12KS4HOSA1, Tipo N-Canal, 225 A, 1200 V, Módulo 62MM, 7 pines Abrazadera, 1 MHz
- Código RS:
- 124-8787
- Referência do fabricante:
- FF150R12KS4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 124-8787
- Referência do fabricante:
- FF150R12KS4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 225A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25kW | |
| Encapsulado | Módulo 62MM | |
| Tipo de montaje | Abrazadera | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 7 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 3.85V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Altura | 29mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 61.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 225A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25kW | ||
Encapsulado Módulo 62MM | ||
Tipo de montaje Abrazadera | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 7 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 3.85V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 106.4mm | ||
Altura 29mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 61.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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