Semikron Danfoss Módulo IGBT, SEMiX603GB12E4p, Tipo N-Canal, 1.1 kA, 1200 V, SEMiX3p, 11 pines Superficie

Módulos IGBT dobles de Semikron en encapsulados modernos de perfil bajo SEMiX® apropiados para aplicaciones de control de potencia de medio puente. Los módulos utilizan resortes sin soldaduras o contactos de encaje a presión para permitir el montaje de un controlador de puerta directamente encima del módulo, con lo que se ahorra espacio y se ofrece una fiabilidad de conexión mayor. Las aplicaciones típicas incluyen dispositivos inversores de ca, SAI, soldadura de componentes electrónicos y sistemas de energía renovable.

• Encapsulado de montaje sin soldaduras y de perfil bajo

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.