IGBT, FGY4L75T120SWD, N-Canal, 75 A, 1200 V, TO-247-4L, 4-Pines 1
- Código RS:
- 277-080
- Referência do fabricante:
- FGY4L75T120SWD
- Fabricante:
- onsemi
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
9,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 30 unidade(s) para enviar a partir do dia 29 de dezembro de 2025
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,50 € |
| 10 - 99 | 8,57 € |
| 100 - 499 | 7,90 € |
| 500 - 999 | 7,32 € |
| 1000 + | 6,56 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 277-080
- Referência do fabricante:
- FGY4L75T120SWD
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 652 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Configuración | Emisor común | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-4L | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 652 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Configuración Emisor común | ||
Tipo de Encapsulado TO-247-4L | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 4 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El IGBT y el diodo Gen7 de ON Semiconductor en un encapsulado TO247 de 4 terminales ofrecen un rendimiento óptimo con bajas pérdidas de conmutación y conducción, lo que permite operaciones de alta eficiencia. Estos componentes están diseñados para su uso en diversas aplicaciones, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y sistemas de almacenamiento de energía (ESS), proporcionando una gestión fiable y eficiente de la energía en estos exigentes entornos.
Capacidad de alta corriente
Conmutación suave y optimizada
Baja pérdida de conmutación
Conforme con RoHS
Conmutación suave y optimizada
Baja pérdida de conmutación
Conforme con RoHS
Links relacionados
- IGBT, FGY4L140T120SWD, N-Canal, 140 A, 1200 V, TO-247-4L, 4-Pines 1
- IGBT, FGY4L100T120SWD, N-Canal, 100 A, 1200 V, TO-247-4L, 4-Pines 1
- IGBT, FGY4L160T120SWD, N-Canal, 160 A, 1200 V, TO-247-4L, 4-Pines 1
- IGBT, DG75X12T2, N-Canal, 75 A, 1200 V, TO-247, 3-Pines 1
- IGBT, RGA80TRX2EHRC15, 105 A, 1200 V, TO-247-4L, 4-Pines 1
- IGBT, RGA80TRX2HRC15, 105 A, 1200 V, TO-247-4L, 4-Pines 1
- Infineon No IGBT, IKW75N120CH7XKSA1, Tipo N-Canal, 75 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- IGBT, IGW40T120FKSA1, 75 A, 1200 V, TO-247, 3-Pines Simple