IGBT, FGY4L160T120SWD, N-Canal, 160 A, 1200 V, TO-247-4L, 4-Pines 1

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Código RS:
277-079
Referência do fabricante:
FGY4L160T120SWD
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

160 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

1,5 kW

Configuración

Emisor común

Tipo de Encapsulado

TO-247-4L

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

COO (País de Origem):
CN
El IGBT y el diodo Gen7 de ON Semiconductor en un encapsulado TO247 de 4 terminales ofrecen un rendimiento óptimo con bajas pérdidas de conmutación y conducción, lo que permite operaciones de alta eficiencia. Estos componentes están diseñados para su uso en diversas aplicaciones, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y sistemas de almacenamiento de energía (ESS), proporcionando una gestión fiable y eficiente de la energía en estos exigentes entornos.

Capacidad de alta corriente
Conmutación suave y optimizada
Baja pérdida de conmutación
Conforme con RoHS

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