FRAM Infineon CY15B104Q-LHXI, 8 pines, DFN, SPI, 4 MB, 512 KB x 8 bits, 16 ns, 3.6V, 2 V

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Código RS:
181-1574P
Referência do fabricante:
CY15B104Q-LHXI
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

4MB

Tipo de producto

FRAM

Organización

512 KB x 8 bits

Tipo de interfaz

SPI

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

16ns

Tipo de montaje

Superficie

Frecuencia del reloj máxima

40MHZ

Encapsulado

DFN

Número de pines

8

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6mm

Altura

0.75mm

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de alimentación mínima

2V

Número de palabras

512K

Estándar de automoción

No

Número de bits por palabra

8

4-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically

organized as 512 K x 8

High-endurance 100 trillion (1014) read/writes

151-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

Very fast serial peripheral interface (SPI)

Up to 40-MHz frequency

Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM

Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)

Sophisticated write protection scheme

Hardware protection using the Write Protect (WP) pin

Software protection using Write Disable instruction

Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array

Device ID

Manufacturer ID and Product ID

Low power consumption

300 A active current at 1 MHz

100 A (typ) standby current

3 A (typ) sleep mode current

Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V

Industrial temperature: –40 °C to +85 °C

Packages

8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package

8-pin thin dual flat no leads (TDFN) package

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