Fotodiodo UV-035EQ OSI Optoelectronics, Ultravioleta 65 °, λ sensibilidad máx. 720 nm, Orificio pasante, encapsulado

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo Fotodiodos

Subtotal (1 bandeja de 5 unidades)*

321,67 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 5 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
  • Mais 30 unidade(s) para enviar a partir do dia 21 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bandeja*
5 +64,334 €321,67 €

*preço indicativo

Código RS:
177-5573
Referência do fabricante:
UV-035EQ
Fabricante:
OSI Optoelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

OSI Optoelectronics

Tipo de producto

Fotodiodo

Espectros detectados

Ultravioleta

Longitud de onda de sensibilidad máxima

720nm

Encapsulado

TO-8

Tipo de montaje

Orificio pasante

Embalaje y empaquetado

Cinta y carrete

Número de pines

2

Mínima longitud de onda detectada

320nm

Máxima longitud de onda detectada

1100nm

Tiempo de caída típico

0.6ns

Amplificado

No

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Altura

5.21mm

Longitud

8mm

Anchura

5 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Ángulo de media sensibilidad

65 °

Diámetro

13.97 mm

Polaridad

Inverso

Estándar de automoción

No

Tiempo de subida típico

0.6ns

Tensión de ruptura

30V

Corriente residual

0.2nA

Fotodiodos OSI serie UV Enhanced


La serie UV Enhanced, de OSI Optoelectronics, son una gama de fotodiodos de silicio de UV mejorada. Esta serie incluye dos familias de fotodiodos independientes, canal de inversión y difuso planar. Ambas familias están diseñadas para una detección de ruido bajo en la zona de UV del espectro electromagnético.

La familia de estructura de capa de inversión ofrece una eficiencia interna del 100%. Esta familia de fotodiodos ofrece alta resistencia de derivación, bajo nivel de ruidos y tensiones de ruptura altas, y es ideal para medidas de luz de baja intensidad.

Los fotodiodos con la estructura difusa planar ofrecen una capacitancia más baja y tiempo de respuesta superior en comparación con la familia posterior de inversión. También muestran la linealidad de la corriente fotoeléctrica hasta una potencia de entrada de luz superior en comparación con los fotodiodos de capa de inversión.

Las aplicaciones adecuadas para la serie UV Enhanced incluye: control de contaminación, instrumentación médica, medidores de exposición UV, espectroscopios, purificación de agua y fluorescencia.

Características de la serie UV Enhanced:

Fotodiodos de silicio difuso planar o capas de inversión

Excelente respuesta a UV

Fotodiodos, OSI Optoelectronics


Links relacionados