AEC-Q100 EEPROM en serie M24C32-DFMC6TG STMicroelectronics, 32 kB, 4K x, 8, Serie I2C, 450 ns, 8 pines UFDFPN-8

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Opções de embalagem:
Código RS:
239-6324
Referência do fabricante:
M24C32-DFMC6TG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

EEPROM en serie

Tamaño de la memoria

32kB

Tipo de interfaz

Serie I2C

Encapsulado

UFDFPN-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Organización

4k x 8 Bit

Frecuencia del reloj máxima

1MHz

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Número de bits por palabra

8

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Longitud

1.7mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.55mm

Serie

M24C32-DF

Anchura

1.4 mm

Tiempo de acceso aleatorio máximo

450ns

Almacenamiento de datos

200year

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de palabras

4K

EEPROM de bus I2C serie de 32 Kbit


El M24C32 es un I de 32 Kbits2EEPROM (memoria programable borrable eléctricamente) compatible con C organizada como 4 K x 8 bits.

El M24C32-W puede funcionar con una tensión de alimentación de 2,5 V a 5,5 V, el M24C32-R puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V, y el M24C32-F y el M24C32-DF pueden funcionar con una tensión de alimentación de 1,7 V a 5,5 V, en un rango de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C; mientras que el M24C32-X puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,6 V a 5,5 V en un rango de temperatura ambiente de -20 °C / +85 °C.

El M24C32-D ofrece una página adicional, denominada página de identificación (32 bytes). La página de identificación se puede utilizar para almacenar parámetros de aplicación sensibles que se pueden bloquear (posteriormente) permanentemente en modo de sólo lectura.

Características


Compatible with all I²C bus modes:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Memory array:

32 Kbit (4 Kbyte) of EEPROM

Page size: 32 byte

Additional Write lockable page (M24C32-D order codes)

Single supply voltage:

1,7 V to 5,5 V over –40 °C / +85 °C

1,6 V to 5,5 V over –20 °C / +85 °C

Write:

Byte Write within 5 ms

Page Write within 5 ms

Modos de lectura aleatoria y secuencial

Protección de escritura de toda la matriz de memoria

Protección contra ESD/bloqueo mejorada

Más de 4 millones de ciclos de escritura

Más de 200 años de retención de datos

Encapsulados

PDIP8 ECOPACK2®

SO8 ECOPACK2®

TSSOP8 ECOPACK2®

UFDFPN8 ECOPACK2®

WLCSP ECOPACK2®

UFDFPN5 ECOPACK2®

Oblea sin serrar (cada matriz se prueba)

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