AEC-Q100 EEPROM en serie Microchip, 4 kB, 512 x, 8, Serie I2C (2 cables), 900 ns, 8 pines SOIC
- Código RS:
- 239-5559
- Referência do fabricante:
- 24LC04BT-E/SN
- Fabricante:
- Microchip
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- 239-5559
- Referência do fabricante:
- 24LC04BT-E/SN
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | EEPROM en serie | |
| Tamaño de la memoria | 4kB | |
| Tipo de interfaz | Serie I2C (2 cables) | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Organización | 512 x 8 bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1000kHz | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Anchura | 3.9 mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 900ns | |
| Número de palabras | 512 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Almacenamiento de datos | 200year | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto EEPROM en serie | ||
Tamaño de la memoria 4kB | ||
Tipo de interfaz Serie I2C (2 cables) | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Organización 512 x 8 bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 1000kHz | ||
Tensión de alimentación mínima 2.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 4.9mm | ||
Anchura 3.9 mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 900ns | ||
Número de palabras 512 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Almacenamiento de datos 200year | ||
La serie 24LC04B de Microchip de EEPROM de 4 Kbits es un dispositivo con tecnología CMOS de baja potencia organizado como dos bloques de memoria de 256 x 8 bits con una interfaz serie de dos cables. El dispositivo está organizado como dos bloques de memoria de 256 x 8 bits con una interfaz serie de dos cables. Su diseño de baja tensión permite un funcionamiento de hasta 1,7 V con corriente activa y en espera de solo 1 μA y 1 mA, respectivamente. Junto con más de 1 millones de ciclos de lectura/escritura, proporciona retención de datos de más de 200 años. Además, protección contra ESD de más de 4000 V. El dispositivo proporciona compatibilidad con reloj de 100 kHz y 400 kHz y ciclo de borrado/escritura con temporizador automático.
Alimentación simple con funcionamiento hasta 1,7 V.
La corriente de lectura máxima es de 1 mA
La corriente en espera máxima es de 1 μA
Rangos de temperatura industrial de 40 °C a + 85 °C.
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