AEC-Q100 EEPROM M24C16-WDW6TP STMicroelectronics, 16 kB, 2K x, 8, Serie I2C, 900 ns, 8 pines TSSOP
- Código RS:
- 190-7652P
- Referência do fabricante:
- M24C16-WDW6TP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 190-7652P
- Referência do fabricante:
- M24C16-WDW6TP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tamaño de la memoria | 16kB | |
| Tipo de producto | EEPROM | |
| Tipo de interfaz | Serie I2C | |
| Encapsulado | TSSOP | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de palabras | 2K | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 900ns | |
| Almacenamiento de datos | 200año | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tamaño de la memoria 16kB | ||
Tipo de producto EEPROM | ||
Tipo de interfaz Serie I2C | ||
Encapsulado TSSOP | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de palabras 2K | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 900ns | ||
Almacenamiento de datos 200año | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El M24C16 es una EEPROM (memoria programable borrable eléctricamente) compatible con I2C de 16 Kbit organizada en 2 K x 8 bits.
Compatible con todos los modos de bus I2C:
400 kHz
100 kHz
Array de memoria:
16 Kbit (2 Kbytes) de EEPROM
Tamaño de página: 16 bytes
Tensión de alimentación única:
M24C16-W: 2,5 V a 5,5 V
M24C16-R: 1,8 V a 5,5 V
M24C16-F: 1,7 V a 5,5 V (intervalo de temperatura completo) y 1,6 V a 1,7 V (intervalo de temperatura limitado)
Escribir:
Byte de escritura en 5 MS
Página escrita en 5 MS
Rango de temperaturas de funcionamiento:
de -40 °C a +85 °C
Modos de lectura aleatoria y secuencial
Protección de escritura de toda la matriz de memoria
Protección mejorada contra ESD/Latch-Up
Más de 4 millones de ciclos de escritura
Más de 200 años de retención de datos
Encapsulados
PDIP8
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
UFDFPN5
Placa sin soldadura (cada matriz se prueba)
