AEC-Q100 EEPROM M24C02-FDW6TP STMicroelectronics, 2 kB, 256 x, 8, Serie I2C, 900 ns, 8 pines TSSOP

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 100 unidades)*

11,40 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 03 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
100 - 1000,114 €11,40 €
200 - 4000,106 €10,60 €
500 - 9000,103 €10,30 €
1000 - 19000,102 €10,20 €
2000 +0,099 €9,90 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
190-7599
Referência do fabricante:
M24C02-FDW6TP
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tamaño de la memoria

2kB

Tipo de producto

EEPROM

Tipo de interfaz

Serie I2C

Encapsulado

TSSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Organización

256 x 8 bit

Frecuencia del reloj máxima

400kHz

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

169 mm

Longitud

3.1mm

Altura

1.2mm

Serie

M24C02-F

Corriente de suministro

1mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

900ns

Almacenamiento de datos

200year

Número de palabras

256

Estándar de automoción

AEC-Q100

Compatible con los modos de bus I2C:

400 kHz

100 kHz

Matriz de memoria:

1 Kbit (128 bytes) de la memoria EEPROM

2 Kbit (256 bytes) de la memoria EEPROM

Tamaño de página: 16 bytes

Tensión de alimentación única:

M24C01/02-W: 2,5 V A 5,5 V.

M24C01/02-R: 1,8 V A 5,5 V.

M24C02-F: 1,7 V a 5,5 V (rango de temperatura completo) y 1,6 V a 1,7 V (rango de temperatura limitado)

Escribir:

Escritura de byte en 5 ms

Escritura de página en 5 ms

Rango de temperaturas de funcionamiento:

De -40 °C a +85 °C.

Modos de lectura aleatoria y secuencial

Protección contra escritura de toda la matriz de memoria

Protección mejorada contra ESD/Latch-Up

Más de 4 millones de ciclos de escritura

Más de 200 años de retención de datos

Paquetes

Libre de halógenos

Links relacionados