EEPROM paralela Microchip, 64 kB, 8192 x, 8, Paralelo, 70 ns, 32 pines PLCC
- Código RS:
- 177-1902P
- Referência do fabricante:
- AT28HC64B-70JU
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 177-1902P
- Referência do fabricante:
- AT28HC64B-70JU
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tamaño de la memoria | 64kB | |
| Tipo de producto | EEPROM paralela | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | PLCC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 32 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 5MHZ | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 12.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | AT28HC64B | |
| Número de palabras | 8192 | |
| Corriente de suministro | 40mA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Almacenamiento de datos | 10año | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 70ns | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tamaño de la memoria 64kB | ||
Tipo de producto EEPROM paralela | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado PLCC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 32 | ||
Frecuencia del reloj máxima 5MHZ | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 12.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie AT28HC64B | ||
Número de palabras 8192 | ||
Corriente de suministro 40mA | ||
Estándar de automoción No | ||
Almacenamiento de datos 10año | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns | ||
El dispositivo Microchip AT28HC64B es una EEPROM en paralelo de 64 kb de alto rendimiento que ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns con una disipación de energía de 220 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 100 μA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.
Características adicionales:
8 kb x 8 (64 kb)
Alimentación de 5 V ±10 %
Interfaz paralela
Tiempo de acceso de 70 ns
Ciclos de borrado y escritura con temporizador automático (10 ms máximo)
Escritura de bytes y escritura de página