EEPROM paralela Microchip, 64 kB, 8192 x, 8, Paralelo, 70 ns, 32 pines PLCC
- Código RS:
- 177-1463
- Referência do fabricante:
- AT28HC64B-70JU
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 177-1463
- Referência do fabricante:
- AT28HC64B-70JU
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | EEPROM paralela | |
| Tamaño de la memoria | 64kB | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | PLCC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 32 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 5MHZ | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | AT28HC64B | |
| Longitud | 12.5mm | |
| Almacenamiento de datos | 10año | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 70ns | |
| Corriente de suministro | 40mA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Número de palabras | 8192 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto EEPROM paralela | ||
Tamaño de la memoria 64kB | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado PLCC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 32 | ||
Frecuencia del reloj máxima 5MHZ | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie AT28HC64B | ||
Longitud 12.5mm | ||
Almacenamiento de datos 10año | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns | ||
Corriente de suministro 40mA | ||
Estándar de automoción No | ||
Número de palabras 8192 | ||
El dispositivo Microchip AT28HC64B es una EEPROM en paralelo de 64 kb de alto rendimiento que ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns con una disipación de energía de 220 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 100 μA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.
Características adicionales:
8 kb x 8 (64 kb)
Alimentación de 5 V ±10 %
Interfaz paralela
Tiempo de acceso de 70 ns
Ciclos de borrado y escritura con temporizador automático (10 ms máximo)
Escritura de bytes y escritura de página
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